膜電極熱壓成型技術探究
發布時間:2024-10-23T08:11:25更新時間:2024-10-23T08:11:24 瀏覽量:133膜電極熱壓成型技術探究
膜電(dian)極熱壓(ya)成(cheng)型(xing)技(ji)術(shu)是(shi)一種較(jiao)新的半(ban)導體封(feng)裝技(ji)術(shu),也(ye)稱作 FC-BGA(Flip-Chip Ball Grid Array)技(ji)術(shu)。它是(shi)將(jiang)銅箔電(dian)極和封(feng)裝介(jie)質通過高溫(wen)高壓(ya)熱壓(ya)鑄造一體化的方(fang)法來制(zhi)造芯片封(feng)裝結構。本文(wen)將(jiang)介(jie)紹(shao)膜電(dian)極熱壓(ya)成(cheng)型(xing)技(ji)術(shu)的原(yuan)理,制(zhi)造方(fang)法及其優(you)缺(que)點。
原理膜(mo)電極(ji)(ji)熱壓成(cheng)型(xing)技術是通過(guo)將銅(tong)箔(bo)電極(ji)(ji)壓在封(feng)裝介質表面,使得電極(ji)(ji)和介質之(zhi)間(jian)形(xing)成(cheng)密實的(de)金屬結合(he)層,進(jin)而實現(xian)芯片與電路(lu)板之(zhi)間(jian)的(de)電連(lian)接。整個過(guo)程包括:準備好銅(tong)箔(bo)電極(ji)(ji)和封(feng)裝介質,把(ba)電極(ji)(ji)放(fang)入介質上,用高溫高壓的(de)方(fang)式加以熱壓,最終(zhong)形(xing)成(cheng)一顆膜(mo)電極(ji)(ji)芯片。
制造方法- 原材料準備:準備好封裝介質和銅箔電極。
- 膜電極準備:將銅箔電極倒在介質上,并用翻轉式光刻技術制作電極圖形,使電極與介質緊密貼合。
- 熱壓成型:將銅箔電極與介質送入內進行加熱和高壓處理,形成密實的金屬結合層。
- 后處理:通過蝕刻和封裝等工藝,最終生產出膜電極芯片。
膜(mo)電(dian)(dian)極(ji)熱(re)壓(ya)成(cheng)(cheng)型技術(shu)優點明顯。該技術(shu)可(ke)以(yi)在(zai)小尺寸封裝(zhuang)中獲得高(gao)(gao)(gao)密度(du)電(dian)(dian)路(lu),提(ti)高(gao)(gao)(gao)芯(xin)片的(de)電(dian)(dian)功能性能。使用接觸點的(de)數量增加(jia),連接電(dian)(dian)場分(fen)布縮(suo)短,可(ke)以(yi)實現更(geng)高(gao)(gao)(gao)的(de)整體帶(dai)寬(kuan)性能。對于一小塊芯(xin)片設備(bei),薄膜(mo)電(dian)(dian)極(ji)熱(re)壓(ya)成(cheng)(cheng)型技術(shu)消除了(le)(le)引線間(jian)隔和結構特征縮(suo)減的(de)限制(zhi),縮(suo)短了(le)(le)該設備(bei)內部的(de)電(dian)(dian)路(lu)長(chang)度(du),從而提(ti)高(gao)(gao)(gao)了(le)(le)芯(xin)片的(de)信噪比和靈(ling)敏度(du)。該技術(shu)也存在(zai)一些缺(que)點,其(qi)(qi)中一個(ge)主要限制(zhi)因素是介質成(cheng)(cheng)本昂貴(gui),其(qi)(qi)次是其(qi)(qi)制(zhi)造成(cheng)(cheng)本要比其(qi)(qi)他技術(shu)更(geng)高(gao)(gao)(gao)。
膜電極熱壓成型技術是一種高效的半導體封裝技術,其特點是高密度、高速度和超高可靠性,減小了封裝晶元的體積,優化了封裝結構和電學性能,為新一代微電子器件的快速發展提供了有力支持。銀通機械是一家專業生產真空熱壓機和平板硫化機的(de)公(gong)司(si)。我們的(de)設備采用(yong)先進的(de)技術,具有穩定的(de)性能和高效的(de)生產能力(li)。如果您(nin)(nin)正在尋找可靠的(de)真(zhen)空供應商,銀通機械將會(hui)是您(nin)(nin)的(de)最佳選擇。
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